碳化矽在半導體領域的應用

碳化矽在半導體領域的應用
SiC一維奈米材料由於其自身的微觀形貌和晶體結構，具有更獨特的優異性能和更廣闊的應用前景。它們通常被認為是第三代寬帶隙半導體材料的重要組成部分。
第三代半導體材料是寬帶隙半導體材料，又稱高溫半導體材料，主要包括碳化矽、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、鑽石等，這類材料具有禁帶寬度寬的特性、高導熱率、高擊穿電場、高抗輻射、高電子飽和率等優點，適合製作高溫、高頻、耐輻射及高功率裝置。第三代半導體材料憑藉其優異的特性，未來具有非常廣泛的應用前景。