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碳化矽在半導體領域的應用 由於碳化矽奈米材料的微觀形貌和晶體結構,使其具有優異的性能和更廣泛的應用。它們通常被認為是高溫半導體材料,主要包括碳化矽、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、鑽石等。優點:適合製作高溫、高頻、耐輻射、高功率裝置。第三代半導體材料由於其優異的性能,未來具有非常廣泛的應用前景。